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  • 专利项目:一种射频等离子体反应室 专利号: 2013206727203
  • 专利权人:大连理工大学 参考价格:
  • 毕业院校: 专业:
  • 学历: 工作单位:
  • 职务:
  • 共同持有人姓名: 所属领域:新一代信息技术
  • 专利目前所处阶段: 已投入开发资金额:
  • 专利法律状态: 是否鉴定:
  • 鉴定机构: 鉴定日期:
  • 专利类型:发明专利
  • 技术简介:一种射频等离子体反应室,广泛应用于材料表面改性及表面处理等领域。这种射频等离子体反应室包括设置在真空腔室中的上基片台和下基片台,上基片台通过上支撑筒固定在密封盖上的上基片台固定装置上,上基片台采用容性耦合基片台或感性耦合基片台;下基片台通过下基片台轴向位置调节机构固定在底板上,调整调节螺母时,移动法兰在导向杆上滑动,使波纹管变形,位于波纹管内的下支撑筒移动,改变与下支撑筒连接在一起的下基片台与上基片台之间的距离。该等离子体反应器的优点在于能够根据不同的工艺需求,选择不同的等离子体产生区的直径、高度及放电模式,从而能够优化半导体器件加工设备的设计和制造,缩短不同工艺所需等离子体反应器的研制周期。
  • 市场前景:
  • 投资规模:
  • 效益:
  • 应用领域: