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  • 专利项目:一种区间匹配CAM单元电路及其组成的RCAM存储器 专利号: 2014200581429
  • 专利权人:大连理工大学 参考价格:
  • 毕业院校: 专业:
  • 学历: 工作单位:
  • 职务:
  • 共同持有人姓名: 所属领域:新一代信息技术
  • 专利目前所处阶段: 已投入开发资金额:
  • 专利法律状态: 是否鉴定:
  • 鉴定机构: 鉴定日期:
  • 专利类型:发明专利
  • 技术简介:本实用新型涉及集成电路制造技术领域,一种区间匹配CAM单元电路及其组成的RCAM存储器,所述高电压摆幅大于区间匹配单元GERMC电路中,第五NMOS管MN5与第一PMOS管MP1互补组合,MP1栅极与D#端相连,源极与第三输入SL相连,第六NMOS管MN6与第二PMOS管MP2互补组合,MP2栅极与D端相连,源极与第四输入SL#相连,两个相互串联组合管之间连接的节点处均与第一、第二NMOS管MN1、MN2的栅极相连,第三NMOS管MN3的漏极与第二输入GE?path相连,其栅极与D#端相连。本实用新型引入两个PMOS管将传输管MN5与MN6变成传输门,提高了P点电压摆幅,可以达到电源电压VDD,使等于链与大于链的信号传输速度增加,电路速度变快,同时也提高了单元电路的鲁棒性,提高了抗噪声能力。
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